9月7日，碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会现场。

9月7日，碳化硅前沿技术分享暨成果发布会在上海举行。由瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（以下简称“瑶芯微电子”）与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队联合攻关、芯联集成协同开展工艺平台开发的全球首款碳化硅超级结MOSFET产品正式发布。该成果历经5年产学研联合攻关，实现了碳化硅超级结技术从实验室研究到产品化落地的重要跨越。

碳化硅功率器件是新能源汽车、数据中心、光伏储能、电网装备等领域的重要基础芯片，具有耐高压、损耗低、耐高温等特点。当前，全球碳化硅功率器件市场仍由海外企业占据主导，超级结技术被业界视为下一代重要技术方向，但由于器件结构复杂、制造精度要求高，其产业化长期面临技术瓶颈。

碳化硅超级结MOSFET产品。

在此次攻关中，郝跃院士团队发挥高校科研优势，与企业研发团队围绕理论模型、器件结构和工艺实现等关键问题持续开展联合研究，重点破解理论设计与实际制造难匹配、电场控制难协同、复杂结构难制造等难题，并联合晶圆代工企业推进工艺平台开发，推动科研成果一步步转化为可生产、可应用的产品。

实测数据显示，此次发布的产品实现1635V耐压，高温电流密度较国际顶级水平提升166%，功率密度提升81%，同时改善了器件在高温环境下的性能稳定性。相关技术未来可应用于新能源汽车、AI服务器电源、数据中心供电以及高压电网装备等领域。

西安电子科技大学教授贾仁需分享碳化硅前沿技术。

近年来，西安电子科技大学与瑶芯微电子共同建设车载碳化硅功率器件联合实验室、产学研合作基地和研究生实践教育基地，持续推动科研、产业和人才培养深度融合。

中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃表示：“瑶芯微电子推出的1200V碳化硅超级结MOSFET，是全球首个完成产业化验证的碳化硅超级结器件。”此次成果发布，展现了陕西高校科研团队在第三代半导体前沿领域的创新实力，标志着我国碳化硅产业正式从跟随对标迈入原创突破新阶段。（群众新闻记者 郝颖）

编辑：王瑜